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STH10N80K5-2AG
汽车级N通道800V, 0.60 Q典型, 8A MDmesh K5功率MOSFET
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- 描述
- 采用 H2PAK-2 封装的汽车级 N 沟道 800 V、0.60 欧姆（典型值）、8 A MDmesh K5 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH10N80K5-2AG
- 商品编号
- C3278110
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 426pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 业界最低的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关应用