NP29N06QUK-E1-AY
双N沟道,电流:30A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP29N06QUK-E1-AY
- 商品编号
- C3278128
- 商品封装
- HSON-8(5x5.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
NP29N04QUK是一款双N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 最大RDS(导通) = 21 mΩ(VGS = 10 V,ID = 15 A)
- 低输入电容:典型Ciss = 1000 pF(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 采用8引脚HSON双封装,尺寸小巧
应用领域
- 汽车领域
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