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RS1E321GNTB1
1个N沟道 耐压:30V 电流:32A 电流:80A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RS1E321GNTB1
- 商品编号
- C3278137
- 商品封装
- HSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A；32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术，具备增强型沟槽栅极结构，可提升线性模式耐受能力，并在极低导通电阻的基础上提供更宽的安全工作区（SOA）。由此产生的MOSFET确保了线性模式和开关操作之间的最佳平衡。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装(HSOP8)
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 无卤
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-开关应用