FQI6N40CTU
N沟道,电流:6A,耐压:400V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI6N40CTU
- 商品编号
- C3278175
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- rDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值），VGS = 10 V，ID = 80 A
- Qg(tot) = 92 nC（典型值），VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 具有UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和VRM
- 24V和48V系统的初级开关