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RFD16N05_NL

1个N沟道耐压:50V 电流:16A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: RFD16N05_NL
商品编号: C3278257
商品封装: IPAK
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试，并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于诸如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

16A,50V
导通电阻rDS(ON) = 0.047 Ω
温度补偿PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
非钳位感性负载(UIS)额定曲线
工作温度175°C

应用领域

-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	47mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	72W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	45nC@10V
	输入电容(Ciss)	900pF
	反向传输电容(Crss)	100pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	325pF