RFD4N06L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFD16N02L和RFD16N02LSM是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）电路，能实现硅的最佳利用，从而带来卓越的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V至5V的栅极偏置范围内提供全额定电导，从而便于直接从逻辑电平（5V）集成电路进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 4A,60V
- 导通电阻 RDS(on) = 0.60Ω
- 针对 5 伏栅极驱动进行优化设计
- 可直接由 Q - MOS、N - MOS 或 TTL 电路驱动
- 安全工作区受功率耗散限制
- 额定结温为 175°C
- 逻辑电平栅极
- 高输入阻抗