RFD4N06L
N沟道,电流:4A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFD4N06L
- 商品编号
- C3278269
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFD4N06L 是一款 n 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平(5 伏)驱动源配合使用而设计。通过特殊的栅极氧化物设计实现了这一性能,该设计可在 3 - 5 伏范围内的栅极偏置下实现全额定导通,从而便于利用逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。RFD4N06L 采用 JEDEC TO - 251 塑料封装,RFD4N06LSM 采用 JEDEC TO - 252 塑料封装。
商品特性
- 4A,60V
- 导通电阻 RDS(on) = 0.60Ω
- 针对 5 伏栅极驱动进行优化设计
- 可直接由 Q - MOS、N - MOS 或 TTL 电路驱动
- 安全工作区受功率耗散限制
- 额定结温为 175°C
- 逻辑电平栅极
- 高输入阻抗