FDU8882
N沟道MOSFET,电流:55A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU8882
- 商品编号
- C3278283
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- rDS(ON) = 11.5 mΩ,VGS = 10 V,ID = 35 A
- rDS(ON) = 15 mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 35 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器
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