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IQE006NE2LM5CGATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:298A
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- 描述
- 特性：极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61240-2-21标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- 商品编号
- C3278295
- 商品封装
- IPAK(TO-251AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 298A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 45 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 9 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 26 nC（典型值），栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低体二极管
- 具有非钳位感性负载开关UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块VRMs
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器
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