HUF75309D3
N沟道,电流:17A,耐压:55V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HUF75309D3
- 商品编号
- C3278270
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 17A,55V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.070Ω
- 二极管兼具高速和软恢复特性
- 温度补偿PSPICE模型
- 热阻抗SPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理