NTD4904N-1G
N沟道,电流:79A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4904N-1G
- 商品编号
- C3278264
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.052nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来卓越性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V - 5V的栅极偏置下提供全额定电导，从而便于直接从逻辑电平（5V）集成电路进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 14A，50V
- rDS(ON) = 0.100 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性负载（UIS）额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器