FQI27N25TU-F085
N沟道,电流:25.5A,耐压:250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI27N25TU-F085
- 商品编号
- C3278192
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 131mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
FD6M045N06专为更紧凑、更高效的同步整流应用而设计，如互联网服务器电源和电信系统电源。为实现更高效率，它内置了极低漏源导通电阻（RDS(ON)）的MOSFET。这款功率系统级封装（Power - SPM）器件可用于正激/桥式转换器PWM变压器的次级侧，在输出电压从12伏低至5伏的范围内提供大电流整流。使用该产品，能够设计出寄生元件减少的电源系统次级侧，从而将电压尖峰和电磁干扰（EMI）噪声降至最低。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 25.5 A 条件下,典型 RDS(on) = 108 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 27 A 条件下,典型 Qg(\texttot) = 45 nC
- 具有单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向
- 集成式启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 系统主开关