FQU2N60CTLTU
600V N沟道MOSFET,电流:1.9A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU2N60CTLTU
- 商品编号
- C3278241
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- rDS(ON)=3.6 mΩ（典型值），VGS = 4.5 V，ID = 35 A
- Qg(5)=48 nC（典型值），VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 具有UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 12V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- 防抱死制动系统（ABS）
- DC-DC转换器