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IRLU3105PBF

1个N沟道耐压:55V 电流:25A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRLU3105PBF
商品编号: C3278244
商品封装: IPAK
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

这款HEXFET®功率MOSFET采用最新的工艺技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

商品特性

逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速开关
允许在最高结温Tjmax下重复雪崩
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	55V
	连续漏极电流(Id)	25A
	导通电阻(RDS(on))	43mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	57W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	20nC@5V
	输入电容(Ciss)	710pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	890pF