FDI9406_F085
N沟道,电流:110A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDI9406_F085
- 商品编号
- C3278180
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.015nF |
商品概述
这款高电压 N 型功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 MDmesh 产品相比，DM6 在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）方面表现极为出色，并且单位面积的导通电阻（RDS(on)）有了显著的提升。它具备市场上针对最苛刻的高效桥式拓扑结构和零电压开关（ZVS）相移转换器所具备的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 典型值:在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,RDS(on) = 1.73 m Ω
- 典型值:在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,Qg(\text tot) = 107 nC
- 非钳位感性开关(UIS)能力
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101 标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向
- 集成启动机/交流发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 系统主开关