RF1S45N06LE
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RF1S45N06LE
- 商品编号
- C3278187
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品概述
RFG45N06LE、RFP45N06LE、RF1S45N06LE 和 RF1S45N06LESM 是采用 MegaFET 工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能使硅得到最优利用,从而实现出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 45A、60V
- rDS(ON) = 0.028Ω
- 2kV 静电放电(ESD)保护
- 温度补偿 PSPICE 模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
- +175°C 工作温度
应用领域
- 高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器