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FCI25N60N

N沟道 MOSFET,电流:25A,耐压:600V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FCI25N60N
商品编号: C3278191
商品封装: I2PAK(TO-262)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

RFP45N02L、RF1S45N02L 和 RF1S45N02LSM 是采用 MegaFET 工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）电路，能实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。

商品特性

45A、20V
rDS(ON) = 0.022Ω
温度补偿 PSPICE 模型
可直接由 CMOS、NMOS 和 TTL 电路驱动
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS 额定曲线
175°C 工作温度

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	25A
	导通电阻(RDS(on))	125mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	216W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	74nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.352nF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	137pF