FDI045N10A
N沟道,电流:164A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDI045N10A
- 商品编号
- C3278179
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 164A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.23nF |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术的塑料封装中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该产品已按照相应的AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A条件下,RDS(on) = 3.8 mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低,QG = 54 nC(典型值)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器