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STHU47N60DM6AG
汽车级N沟道600V,70mΩ,36A
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- 描述
- 采用 HU3PAK 封装的汽车级 N 沟道 600 V、70 mOhm（典型值）、36 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STHU47N60DM6AG
- 商品编号
- C3278144
- 商品封装
- TO-263-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著降低，同时具备市场上最有效的开关性能之一，适用于对效率要求极高的桥式拓扑结构和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，每单位面积的导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用