STI6N90K5
N沟道,电流:6A,耐压:900V
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- 描述
- N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，I2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI6N90K5
- 商品编号
- C3278169
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 342pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- 业内最低的RDS(ON)x 面积
- 业内最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用