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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 430nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.19nF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，最大1.9Ω
- 低栅极电荷，典型值为49nC
- 改善dV/dt能力
- 无铅电镀
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，且符合WEE 2002/96/EC指令
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
应用领域
- 电源-照明