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STHU36N60DM6AG
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
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- 描述
- 采用 HU3PAK 封装的汽车级 N 沟道 600 V、84 mOhm（典型值）、29 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STHU36N60DM6AG
- 商品编号
- C3278145
- 商品封装
- TO-263-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
RM185N30DF采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
- 由于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能
应用领域
-开关应用