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UT6MA2TCR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 小型表面贴装封装。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 无卤素。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- UT6MA2TCR
- 商品编号
- C3278150
- 商品封装
- HUML2020-L8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0304克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,4A；46mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V；6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@15V；305pF@15V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
NP50P03YDG是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 8.4 mΩ（栅源电压VGS = -10 V，漏极电流ID = -25 A）
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 2300 pF（漏源电压VDS = -25 V，栅源电压VGS = 0 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 采用8引脚HSON小尺寸封装