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STHU32N65DM6AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:37A
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- 描述
- 采用 HU3PAK 封装的汽车级 N 沟道 650 V、83 mOhm（典型值）、37 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STHU32N65DM6AG
- 商品编号
- C3278146
- 商品封装
- TO-263-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.211nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
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