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NP29N06QDK-E1-AY

双N沟道,电流:30A,耐压:60V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: NP29N06QDK-E1-AY
商品编号: C3278130
商品封装: HSON-8(5x5.4)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

FD6M033N06专为更紧凑、更高效的同步整流应用而设计，如互联网服务器电源和电信系统电源。为实现更高效率，它内置了极低导通电阻RDS(ON)的MOSFET。这款功率智能功率模块（Power-SPM）器件可用于正激/桥式转换器PWM变压器的次级侧，在输出电压从12伏降至5伏的范围内提供大电流整流。使用该产品，可设计出寄生元件减少的电源系统次级侧，从而将电压尖峰和电磁干扰（EMI）噪声降至最低。

商品特性

极低的导通电阻
RDS(on)1最大值为20 mΩ(VGS = 10 V,ID = 15 A)
RDS(on)2最大值为30 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 7.5 A)
低输入电容:典型值Ciss = 1000 pF(VDS = 25 V)
专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
采用小型8引脚双HSON封装

应用领域

-汽车领域

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	44W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	24nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.5nF
	反向传输电容(Crss)	90pF
	工作温度	-40℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	170pF