NP75P03YDG-E1-AY
P沟道,电流:75A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP75P03YDG-E1-AY
- 商品编号
- C3278123
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 990pF |
商品概述
一款75 W的超强耐用LDMOS功率晶体管，适用于HF至600 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带操作设计（HF至600 MHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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