NP16N06QLK-E1-AY
双N沟道,电流:16A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP16N06QLK-E1-AY
- 商品编号
- C3278125
- 商品封装
- HSON-8(5x5.4)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
适用于400 MHz至500 MHz频率范围基站应用的200 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 极低的导通电阻
- RDS(on)1 最大值为 39 mΩ(VGS = 10 V,ID = 8 A)
- RDS(on)2 最大值为 60 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 4 A)
- 低输入电容:典型值 Ciss = 500 pF(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合 AEC - Q101 标准
- 采用小型 8 引脚双 HSON 封装
应用领域
- 汽车领域
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