NP50P03YDG-E1-AY
P通道,电流:-25A,耐压:-30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP50P03YDG-E1-AY
- 商品编号
- C3278124
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 660pF |
商品概述
NP29N06QUK是一款双N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 最大RDS(导通) = 21 mΩ（VGS = 10 V，ID = 15 A）
- 低输入电容：典型Ciss = 1000 pF（VDS = 25 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 采用8引脚HSON双封装，尺寸小巧
应用领域
- 汽车领域
相似推荐
其他推荐
- NP16N06QLK-E1-AY
- NP29N04QUK-E1-AY
- NP30N04QUK-E1-AY
- NP29N06QUK-E1-AY
- NP50N04YUK-E1-AY
- NP29N06QDK-E1-AY
- NE55410GR-T3-AZ
- UPA2463T1Q-E1-AX
- UPA2450CTL-E1-A
- RJK03E0DNS-00#J5
- RJK03M9DNS-00#J5
- RJK03M6DNS-00#J5
- RJK03E1DNS-00#J5
- UPA2826T1S-E2-AT
- RJK03M8DNS-00#J5
- RJK60S5DPE-00#J3
- HAF1002-90STL
- RJK0332DPB-00#J0
- RJK0330DPB-01#J0
- RJK0331DPB-01#J0
- RJK0301DPB-00#J0