NP20P06YLG-E1-AY
P沟道,电流:20A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP20P06YLG-E1-AY
- 商品编号
- C3278119
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.407nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 173pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET®功率MOSFET条形平面设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一款极其高效且可靠的器件，适用于汽车及多种其他应用。
商品特性
-低导通电阻-逻辑电平驱动类型-内置栅源ESD保护二极管-专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
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