NP35N055YUK-E1-AY
55V,35A,N沟道功率MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP35N055YUK-E1-AY
- 商品编号
- C3278121
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET采用条形平面设计，专为汽车应用而设计，运用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一款极其高效可靠的器件，适用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 超低导通电阻
- 最大导通电阻RDS(on) = 6.7 mΩ(VGS = 10 V,ID = 18 A)
- 非逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
应用领域
- 汽车领域
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