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IRLR3802PBF
1个N沟道 耐压:12V 电流:84A
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- 描述
- 特性：超低栅极阻抗。 极低的导通电阻RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频3.3V和5V输入负载点同步降压转换器。 网络通信、计算和便携式应用的电源管理
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR3802PBF
- 商品编号
- C3277935
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.024 Ω
- 40 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.018 Ω
- 在高温下规定关键直流电气参数。
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟槽技术实现极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 最高结温额定值为175 °C。