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STH200N10WF7-2
N沟道,电流:180A,耐压:100V
- 描述
- N 沟道 100 V、3.2 mOhm（典型值）、180 A、STripFET F7 功率 MOSFET，采用 H2PAK-2 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH200N10WF7-2
- 商品编号
- C3278108
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.77nF |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
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