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STH240N10F7-2
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH240N10F7-2
- 商品编号
- C3278109
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.668克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用了STripFETTM F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,不仅能够大幅降低导通电阻,还能减少内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 具有市场上极低的 RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
- STH10N80K5-2AG
- STH47N60DM6-2AG
- RQ3G110ATTB
- RQ3P300BHTB1
- RQ3L090GNTB
- RQ3E130BNTB
- RQ3E070BNTB
- NP16N06YLL-E1-AY
- NP20P06YLG-E1-AY
- NP75P04YLG-E1-AY
- NP35N055YUK-E1-AY
- NP75N04YUK-E1-AY
- NP75P03YDG-E1-AY
- NP50P03YDG-E1-AY
- NP16N06QLK-E1-AY
- NP29N04QUK-E1-AY
- NP30N04QUK-E1-AY
- NP29N06QUK-E1-AY
- NP50N04YUK-E1-AY
- NP29N06QDK-E1-AY
- BLP05H675XRY