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STB30N65M2AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 汽车级N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB30N65M2AG
- 商品编号
- C3277637
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥的高效开关模式电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 3.3A、400V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.75Ω
- 低栅极电荷（典型值14 nC）
- 低Crss（典型值11 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力