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IRF640SPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF640SPBF
- 商品编号
- C3277649
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的电子镇流器。
商品特性
- 9A、500V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.85Ω
- 低栅极电荷（典型值28nC）
- 低Crss（典型值24pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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