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FQB10N20CTM

N沟道,电流:9.5A,耐压:200V

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FQB10N20CTM
商品编号: C3277656
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

56A，100V
仿真模型
温度补偿PSPICE和SABER电气模型
Spice和Saber热阻模型

应用领域

开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	9.5A
	导通电阻(RDS(on))	360mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	72W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	26nC@10V
	输入电容(Ciss)	510pF
	反向传输电容(Crss)	53pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	125pF