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NTMFS4C302NT3G
N沟道,电流:230A,耐压:30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C302NT3G
- 商品编号
- C3277735
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.32nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），便于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- NVMFS6H801NWF——可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准