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STD5406NT4G-VF01
N沟道,电流:70A,耐压:40V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- STD5406NT4G-VF01
- 商品编号
- C3277863
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 高电流承载能力
- 低栅极电荷
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的标准前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 电子制动系统
- 电子动力转向系统
- 桥式电路