AUIRLR2905TRL
1个N沟道 耐压:55V 电流:42A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRLR2905TRL
- 商品编号
- C3277882
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFD110、IRFD111、IRFD112和IRFD113是n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。IRFD110R、IRFD111R、IRFD112R和IRFD113R型是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。 IRFD系列采用4引脚双列直插式塑料封装。
商品特性
- 先进的平面技术
- 逻辑电平栅极驱动
- 低导通电阻
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证