IRLR3410PBF
N沟道,电流:17A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR3410PBF
- 商品编号
- C3277907
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
-逻辑电平栅极驱动-超低导通电阻-表面贴装(IRLR3410)-直引脚(IRLU3410)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定-无铅