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STD13N60M6
N沟道,电流:10A,耐压:600V
- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、320 mOhm（典型值）、10 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD13N60M6
- 商品编号
- C3277920
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34.4pF |
商品概述
这款新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术，实现了导通电阻和栅极电荷之间前所未有的平衡。降低的传导和开关损耗使其非常适合为新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器。 IRLR8103V针对同步降压转换器中所有关键参数进行了优化，包括RDS(导通)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。IRLR8103V在Qsw和RDS(导通)方面的组合极低，可降低控制和同步FET应用中的损耗。 该封装适用于气相、红外、对流或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可能超过2W。
商品特性
- 适用于CPU核心DC-DC转换器
- 低传导损耗
- 低开关损耗
- 最大限度减少大电流应用中的并联MOSFET数量