FDD6780A
N沟道,电流:16.4A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6780A
- 商品编号
- C3277924
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品概述
RM100N30DF采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 100A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 2.5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 3.5 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源-无卤