STD10N60M6
N沟道,电流:6.4A,耐压:650V
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- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、520 mOhm（典型值）、6.4 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10N60M6
- 商品编号
- C3277921
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 338pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26.2pF |
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积 RDS(ON)更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC 转换器、谐振转换器
- 升压 PFC 转换器