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IPD60R145CFD7
1个N沟道 耐压:600V 电流:16A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R145CFD7
- 商品编号
- C3277918
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.34mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NP75P03YDG是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 6.2 mΩ（栅源电压VGS = -10 V，漏极电流ID = -37.5 A）
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 3200 pF（漏源电压VDS = -25 V，栅源电压VGS = 0 V）
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计，符合AEC - Q101标准
- 采用8引脚HSON小尺寸封装