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IRLR3636TRPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR3636TRPBF
- 商品编号
- C3277891
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.779nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 332pF |
商品特性
- 针对逻辑电平驱动优化
- 在 4.5V VGS 下具有极低的 RDS(ON)
- 在 4.5V VGS 下具有出色的 R*Q
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容和雪崩安全工作区
- 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
应用领域
- 直流电机驱动
- 开关电源中的高效同步整流
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路