IRFR4615PBF
N沟道,电流:33A,耐压:150V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR4615PBF
- 商品编号
- C3277899
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 144W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，并且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容和雪崩安全工作区 (SOA)
- 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
应用领域
- 开关电源 (SMPS) 中的高效同步整流
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路