IRFR9110TRRPBF
P沟道 MOSFET,电流:-1.9A,耐压:-100V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR9110TRRPBF
- 商品编号
- C3277885
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9110、SiHFR9110)-直引脚(IRFU9110、SiHFU9110)-P沟道-快速开关
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