NVD4808NT4G
N沟道MOSFET,电流:63A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD4808NT4G
- 商品编号
- C3277870
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@11.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 334pF |
商品概述
这款专用功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的第三代技术。由此制成的晶体管在导通电阻和栅极电荷之间实现了最佳平衡。当在降压稳压器中用作高端和低端器件时，它在传导损耗和开关损耗方面均表现出卓越性能。这对于对快速开关和高效率有极高要求的主板而言极为重要。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 采用NVD前缀,适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些是无铅器件
应用领域
-CPU供电-DC-DC转换器-低端开关