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NVD5862NT4G实物图
  • NVD5862NT4G商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NVD5862NT4G

N沟道,电流:98A,耐压:60V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVD5862NT4G
商品编号
C3277871
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.466克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)98A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)420nC@10V
输入电容(Ciss)6nF
反向传输电容(Crss)6nF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)6nF

数据手册PDF

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