温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 420nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6nF |
商品特性
- 雪崩耐受技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：在VDS = -60 V时为10 μA（最大值）
- 更低的RDS(ON)：0.106 Ω（典型值）