IRFR120
N沟道, 8.4A, 100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFR120
- 商品编号
- C3277881
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
RFW2N06RLE (TA9861) N沟道逻辑电平ESD保护功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来卓越性能。RFW2N06RLE设计用于逻辑电平（5V）驱动源，适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机和继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。通过特殊的栅极氧化物设计，该器件可在3 - 5伏的栅极偏置下实现全额定电导，从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的开关功率控制。 RFW2N06RLE采用4引脚六边形双列直插塑料封装（类似于JEDEC外形TO - 250）。
商品特性
- 8.4A,100V
- rDS(ON) = 0.270 Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器