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AON6284
1个N沟道 耐压:80V 电流:170A
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- 描述
- 使用沟槽MOSFET技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻、输入电容和输出电容组合，可将传导和开关功率损耗降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6284
- 商品编号
- C3277770
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.162nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
AON4407采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关。
商品特性
- VDS(V) = -12 V
- ID = -9 A (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 20 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 25 mΩ (VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) < 31 mΩ (VGS = -1.8 V)
- 具备ESD保护